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MIT开发出新芯片测试堆叠微电子的冷却解决方案

发布时间:2025-05-06 15:19    文章来源:盖世汽车    编辑:李陈默    阅读量:11375   

盖世汽车讯 随着对更强大、更高效的微电子系统的需求不断增长,业界正转向3D集成——将芯片堆叠在一起。这种垂直分层架构可以将高性能处理器与其他用于通信或成像的高度专业化的芯片紧密封装在一起。但世界各地的技术人员都面临着一个重大挑战:如何防止这些芯片堆叠过热。

据外媒报道,麻省理工学院林肯实验室(Lincoln Laboratory)开发出一种专用芯片,用于测试和验证封装芯片堆叠的冷却解决方案。该芯片功耗极高,模仿高性能逻辑芯片,通过硅层和局部热点产生热量。然后,随着冷却技术应用于封装芯片堆叠,该芯片会测量温度变化。当芯片被夹在芯片堆叠中时,研究人员可以研究热量如何在芯片堆叠层中移动,并评估保持芯片冷却方面的进展。

“如果只有一块芯片,可以从上方或下方进行冷却。但如果将多个芯片堆叠在一起,热量就无处散发。目前还没有任何冷却方法能够让业界堆叠多个如此高性能的芯片,”研究人员Chenson Chen说道。

Chenson Chen与Ryan Keech共同领导了该芯片的开发,两人都来自林肯实验室的先进材料和微系统组。

这款基准芯片目前正由波音和通用汽车(General Motors)共同拥有的研发公司HRL Laboratories使用,用于开发用于3D异质集成(3DHI)系统的冷却系统。异质集成是指将硅芯片与非硅芯片(例如用于射频(RF)系统的III-V族半导体)堆叠在一起。

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